- 레이저다이오드 | Laser Diode > LD (CHIP, TO, BAR)
| Product |
808nm 120W Diode laser Vertical stacks -. AuSn solder for packaging -. High conversion efficiency -. High peak power -. High reliability |
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| Application |
-. Illumination -. Pumping source -. Scientific research |
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| Download | ||
Product Info
Product Parameters
| Optical Parameters | |
| Part Number | R808±10-Q480-GS11-10*4 |
| Center Wavelength λc（nm） | 808 |
| Wavelength Tolerance δλc（nm） | ±10 |
| Output power of each Bar（W） | 120 |
| Bar Numbers | 4 |
| Spaces between Bars（mm） | 1.65 |
| Spectral Width（FWHM）（nm） | <5 |
| Slope Efficiency of each Bar (W/A) | >1.1 |
| Fast Axis Divergence Angle（FWHM）（°） | 40 |
| Slow Axis Divergence Angle（FWHM）（°） | 10 |
| Temperature Drift of Wavelength（nm/℃） | ~0.3 |
| Electrical Parameters | |
| Conversion Efficiency（%） | >50 |
| Threshold Current Ith（A） | <15 |
| Operating Current Iop（A） | <130 |
| Operating Voltage Vop of each Bar（V） | <2 |
| Duty Cycle（%） | <2 |
| Pulse Width（μs） | <3000 |
| Repetition Rate（Hz） | <100 |
| Environment Parameters | |
| Operating Temperature（℃） | 20~35 |
| Storage Temperature（℃） | 0~55 |
